基于多工位测试版的芯片自适应测试系统及装置

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基于多工位测试版的芯片自适应测试系统及装置
申请号:CN202510080929
申请日期:2025-01-20
公开号:CN119511051A
公开日期:2025-02-25
类型:发明专利
摘要
本发明公开了基于多工位测试版的芯片自适应测试系统及装置,涉及芯片测试技术领域。该方法包括以下步骤:通过多工位测试版对DRAM芯片进行测试;对多工位测试版对DRAM芯片进行测试的过程进行监控;通过监控获取芯片测试参数数据;根据芯片测试参数数据分析DRAM芯片的合格程度;将合格程度表示为不合格的DRAM芯片进行修复;根据DRAM芯片的合格程度将DRAM芯片进行等级划分。本发明通过根据芯片测试参数数据分析DRAM芯片的电压循环测试合格程度、SLT性能测试合格程度和老炼化测试合格程度,达到了准确高效地进行多工位芯片测试的效果,解决了现有技术中存在难以准确高效地进行多工位芯片测试的问题。
技术关键词
DRAM芯片 多工位 执行读写操作 电压 数据 参数 测试模块 监控模块 指标 修复器 指数 芯片测试技术 分析模块 存储芯片 存储器 处理器
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