一种单晶圆上波长可调谐的AlGaN基激光二极管及其制备方法

本发明公开了一种单晶圆上波长可调谐的AlGaN基激光二极管及其制备方法。本发明利用室温干法与湿法结合的刻蚀方法制备出多个二维排列的脊图案阵列，每一个脊图案阵列具有多个不同的脊，每一个具有设定的宽度和形状的脊对应一个激射波长，多个不同的脊分别对应多个不同的激射波长；由有效折射率设计脊图案阵列，脊的宽度和形状影响有效折射率，对横向光学模场和载流子有限制作用，从而影响原子级超薄量子阱发光层的带隙，进而调节激射波长，以实现单晶圆衬底上波长可调谐的AlGaN基激光二极管；本发明能够实现较短的激射波长的精细调控，方法简单易控制，显著降低了生产时间和生长成本，在激射波长可调控的激光二极管领域具有广泛应用。