一种氮极性GaN基HEMT-LED集成芯片及其制备方法

一种氮极性GaN基HEMT‑LED集成芯片及其制备方法，属于半导体芯片制备技术领域。该芯片在同一衬底上集成氮极性HEMT和氮极性LED器件，HEMT由衬底层、AlN缓冲层、高阻GaN模板层、AlxGa1‑xN背势垒层、未掺杂GaN沟道层、源电极、栅下绝缘介质层和栅电极组成；LED由衬底层、AlN缓冲层、高阻GaN模板层、AlxGa1‑xN背势垒层、未掺杂GaN沟道层、n‑GaN层、InyGa1‑yN/GaN量子阱有源层、p‑AlzGa1‑zN电子阻挡层、p‑GaN层和漏电极组成。本发明解决了金属极性GaN基HEMT‑LED集成芯片中AlGaN势垒层阻碍电子在LED和HEMT之间传输的问题。