基于磁导率单负超材料的芯片电磁防护屏蔽隔膜

本发明涉及芯片电磁屏蔽技术领域，尤其涉及一种基于磁导率单负超材料的芯片电磁防护屏蔽隔膜，具有三层FR‑4介质层，相邻FR‑4介质层间添加有pp材料，其中排列有多组宽度渐变的开口谐振环，每组开口谐振环包括三个谐振单环，三个谐振单环按宽度大小依次排布并嵌入电阻，且在各谐振单环间添加有金属条带。本发明的屏蔽隔膜结构与传统电磁屏蔽结构如电磁带隙结构、类屏蔽材料屏蔽结构相比，有着剖面低，横向尺寸小，工作频段宽的特性，适用于小型化的芯片结构防护，能有效解决在小型隔室封装内产生的电磁干扰问题。