一种DLC辅助应力释放GaN/金刚石的集成方法
申请号：CN202510089480
申请日期：2025-01-21
公开号：CN119890032B
公开日期：2025-10-17
类型：发明专利
摘要
本发明公开了一种DLC辅助应力释放GaN/金刚石的集成方法，包括样品预处理、制备DLC辅助层、制备GaN/金刚石的散热模块以及抛磨Si/DLC辅助层得到完整的GaN/金刚石模块。本发明的有益效果是：在生长金刚石外延层的过程中，使用石墨毡覆盖包裹DLC辅助层，保温并产生热量梯度，以辅助GaN进行应力释放，提高GaN的稳定性和GaN/金刚石模块的成品率。
技术关键词
集成方法
芯片保护膜
AlN缓冲层
抛光液配方
抛光布
耐高温石墨
应力释放层
气相沉积方法
金刚石粉末
抛磨设备
散热模块
金属有机化学气相沉积
常温常压
衬底
GaN层
超声清洗装置
DLC薄膜
微波等离子体
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耐磨层
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数字孪生模型
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集成模块
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决策树算法
数据
非暂态计算机可读存储介质
矩阵
时刻表
线路
集成方法
混合整数线性规划模型
行程
芯片
集成方法
计算机可执行指令
电子设备
处理器通信
