一种基于一阶Mur吸收边界条件的电磁场仿真方法及系统

本发明公开了一种基于一阶Mur吸收边界条件的电磁场仿真方法及系统，涉及电磁场仿真邻域，方法包括以下步骤：构建针对FCC‑FDTD的一阶Mur边界条件；初始化电场参数和磁场参数，定义待仿真区域的介质参数和几何结构以及激励源；设置所述一阶Mur边界条件，基于所述一阶Mur边界条件对电场和磁场进行更新，完成仿真。本发明通过详细推导吸收边界上电场的迭代公式，构建了一种新型的一阶Mur边界条件，并通过新型边界条件来进行电磁场的仿真，与传统FDTD算法对比，本发明简单易行，便于实现，有助于FCC‑FDTD方法的广泛应用。