一种打印纳米铜辅助混合键合工艺的方法

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一种打印纳米铜辅助混合键合工艺的方法
申请号:CN202510092701
申请日期:2025-01-21
公开号:CN120033092B
公开日期:2025-10-03
类型:发明专利
摘要
一种打印纳米铜辅助混合键合工艺的方法,包括以下步骤:S1、将待键合的芯片表面清洗后进行预处理准备进行键合;S2、识别待键合表面上的铜凸块的表面缺陷和位置信息;S3、将电火花烧蚀装置制备的细径纳米铜颗粒打印到铜凸块表面修复碟形缺陷实现铜凸块的表面平整化并形成一层纳米铜薄膜辅助低温键合;S4、将打印后的芯片用键合机进行对准配合接触后进行微加热实现混合键合的预键合;S5、通入惰性保护气体加热进行低温混合键合。本发明的目的在于提出一种打印纳米铜辅助混合键合工艺的方法,解决目前主流混合键合中铜凸块容易出现缺陷键合效果不好和键合温度高的问题。
技术关键词
纳米铜薄膜 惰性保护气体 纳米铜颗粒 三轴机械手 气溶胶喷嘴 烧蚀装置 芯片 光学检测机构 定位轴承 电火花装置 酸洗试剂 内腔 修复装置 加热方法 打印装置 导向滑块 基体
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