一种从UV膜上逐步剥离芯片的方法

本发明属于半导体集成电路封装测试领域，公开了一种从UV膜上逐步剥离芯片的方法，本方法通过不透明钢网外圈开槽对齐晶圆划片道的布置，实现了对UV膜的精准遮挡，使得各芯片上的UV膜被划分为遮挡区与非遮挡区，且交错排布；在第一次解UV处理时，只有非遮挡区的UV膜被曝光，非遮挡区的UV膜的黏性减弱；第二次解UV处理后，遮挡区UV膜黏性减弱，此时非遮挡区的UV膜彻底失去黏性，在后续的剥离操作中，芯片更容易从UV膜上分离。通过两次解UV处理，使UV膜黏性在芯片背面呈对称分布，控制了剥离过程中的应力分布，同时减少了顶针在剥离过程中对芯片压强集中的作用时间，大大降低了因压强长时间集中导致的芯片顶裂风险，避免了对芯片造成损伤。