一种SOI片顶硅位错缺陷检测方法

本发明涉及一种半导体制造的技术领域，它涉及一种SOI片顶硅位错缺陷检测方法，提供待测SOI硅片，测量顶硅层初始厚度H0，以用于后续处理参数的确定；将SOI硅片置于腐蚀液中，在顶硅层腐蚀过程中厚度H0减少至设定值时，使位错缺陷区域优先腐穿产生贯穿埋氧层的微孔；将经腐蚀处理后的SOI硅片置于氢氟酸中处理，以扩展位错缺陷穿孔区域至可见范围，通过光学显微镜观测扩展后的位错穿孔区域，统计多个视野内的位错缺陷数量；根据缺陷数量和显微镜视野面积计算位错缺陷密度，并对样品质量进行评估，本发明采用化学腐蚀结合光学显微镜检测，设备成本低廉，检测耗材成本可控，大幅降低检测费用，适合大批量SOI硅片的在线质量检测。