半导体器件及其制造方法

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：基底，所述基底包括芯片区；所述基底上形成有器件结构、层间介质层和金属层，所述层间介质层覆盖所述器件结构，所述金属层贯穿所述层间介质层后与所述器件结构电连接，所述金属层还延伸至部分所述层间介质层上；至少两层钝化层，形成于所述层间介质层上，所述至少两层钝化层还延伸至所述芯片区拐角处的所述金属层的侧壁上以及所述芯片区非拐角处的所述金属层的侧壁上，所述至少两层钝化层未形成于所述芯片区拐角处的所述金属层的上表面。本发明的技术方案能够降低芯片拐角处的应力，进而提高芯片的可靠性。