半导体芯片及其形成方法

本发明涉及一种半导体芯片及其形成方法。所述半导体芯片的形成方法包括如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆包括相对分布的正面和背面，于所述晶圆的所述背面形成背面金属层，所述晶圆的所述正面具有间隔排布的多个正面器件结构以及位于两相邻所述正面器件结构之间的切割道；采用切割刀沿所述切割道切割所述晶圆，形成延伸至所述晶圆内部的第一切割槽；采用激光沿所述第一切割槽切割所述背面金属层，形成与所述第一切割槽连通且沿第一方向贯穿所述背面金属层的第二切割槽。本发明避免了切割后形成的半导体芯片的边缘产生崩边、隐裂等问题，而且避免了单独采用激光切割导致的半导体芯片侧面发黑和热效应等问题。