一种集成SBD碳化硅MOSFET元胞结构及制备方法

本发明涉及半导体技术领域，具体一种集成SBD碳化硅MOSFET元胞结构及制备方法，通过增设肖特基金属层，并依据增设的肖特基金属层对集成SBD碳化硅MOSFET元胞结构进行优化，实现不增加元胞尺寸，也能在碳化硅MOSFET元胞结构中集成SBD，使得相同芯片面积下芯片沟道密度更高，导通电阻更小，从而降低导通损耗，在保证续流电压较小的情况下，提高了芯片的导通效率。