一种磁控溅射多尺度数值模拟方法、装置、设备、介质及产品

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一种磁控溅射多尺度数值模拟方法、装置、设备、介质及产品
申请号:CN202510120656
申请日期:2025-01-24
公开号:CN120030839A
公开日期:2025-05-23
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种磁控溅射多尺度数值模拟方法、装置、设备、介质及产品,涉及仿真技术领域。本申请首先建立磁控溅射矩形靶磁场的有限元模型,求解平行靶面方向和垂直靶面方向的磁场分布;然后基于实验工艺参数,根据求解得到的磁场分布,对等离子体放电过程进行计算,获得入射靶面的离子的能量分布;然后通过MC算法计算Ar离子轰击靶材的过程,得到溅射出的靶原子角度和能量分布;再将入射靶面的离子的能量分布转化为靶面刻蚀轨道分布,根据溅射出靶原子的角度和能量分布,模拟溅射出靶原子从靶面到基体的输运过程,得到溅射出靶原子到达基体时的能量。本申请能够实现不同工艺条件下的磁控溅射过程的模拟和计算。
技术关键词
多尺度数值 磁控溅射矩形靶 磁控溅射设备 基体 模拟装置 离子 剩余磁通密度 磁铁 三维模型 处理器 轨道 算法 计算机程序产品 物理 参数 计算机设备 可读存储介质 模块 存储器
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