一种基于C2W键合的芯片中硅衬底去除方法

本申请提供了一种基于C2W键合的芯片中硅衬底去除方法，属于电光调制器技术领域，包括在衬底上形成波导芯，并沉积第一钝化层，第一钝化层覆盖衬底和波导芯；在波导芯的两侧分别形成金属槽，在金属槽内形成金属电极；沉积第二钝化层，第二钝化层覆盖金属电极和第一钝化层；在金属电极的上方进行开孔，形成孔结构；在第二钝化层上方与金属电极相对应的区域形成保护层，保护层通过孔结构将金属电极覆盖；将第二钝化层上方与波导芯对应的区域与芯片进行键合；键合后去除芯片中的硅衬底；去除保护层。本申请的方案，缩短了器件制备时间，降低了成本。