三基色Micro-LED芯片及其制备与巨转方法

本发明公开了一种RGB三基色Micro‑LED芯片及其制备与巨转方法，涉及半导体器件技术领域，该方法通过对预先提供的目标晶圆进行芯片制作，得到共阴极、阳极独立的RGB三基色Micro芯片，在进行正式的巨量转移时，只需要进行一次激光巨量转移，就可以实现将RGB三基色Micro芯片转移至电路基板上，同时由于RGB三基色Micro芯片的阴极电极为共阴设计，增加了RGB三基色Micro芯片与电路基板的固晶键合作用，使RGB三基色Micro芯片与电路基板的键合更稳定。采用本发明所示方法，既能有效提升RGB三基色Micro芯片的转移效率，降低制作成本，又可提升键合稳定性。