一种ITO膜制备方法、LED芯片及电子设备

本发明提供一种ITO膜制备方法、LED芯片及电子设备，ITO膜制备方法包括：提供一外延片，沉积初始ITO膜；于初始ITO膜上制备初始光刻胶掩膜，并进行第一次刻蚀，以形成图形化的过渡ITO膜；加热初始光刻胶掩膜，令初始光刻胶掩膜软化，以形成最终光刻胶掩膜；基于最终光刻胶掩膜对过渡ITO膜进行第二次刻蚀，以形成最终ITO膜。通过第一次刻蚀得到图形化的过渡ITO膜，初始光刻胶掩膜的边缘软化后向下塌陷，形成最终光刻胶掩膜，对过渡ITO膜形成保护，有效地避免了过刻现象，同时二次刻蚀可将残留的ITO、金属等其他杂质去除，防止芯片的外观及电性良率发生异常。