一种低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法和芯片电容器

本发明涉及一种低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法和芯片电容器，其中，所述低介电常数微波介质陶瓷由以下原料成分制得：SiO2、Al2O3、MgO、ZnO和添加剂，其中，SiO2、Al2O3、MgO、ZnO和添加剂的质量百分比为：SiO2 48～50wt％、Al2O3 31～38wt％、MgO 12～15wt％、ZnO 1.5～5wt％、添加剂0.5～5wt％，添加剂为ZrO2、CaCO3、MnO2、La2O3、BaCO3、CuO、TiO2、Ni2O3和Bi2O3中的至少一种。本发明的低介电常数微波介质陶瓷，其在温度系数≤±25ppm/℃条件下的介电常数仅为4.5‑5，而且在高温条件下不容易出现老化现象。