激光器芯片的微转移印刷方法及光子集成芯片

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激光器芯片的微转移印刷方法及光子集成芯片
申请号:CN202510125930
申请日期:2025-01-27
公开号:CN120127491A
公开日期:2025-06-10
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种激光器芯片的微转移印刷方法及光子集成芯片,微转移印刷方法包括:在基底上形成释放层和激光器件层;刻蚀形成激光器单元;形成抗反射层,对应耦合面的抗反射层外侧为耦合端面;制作光阻图形,其相对耦合端面具有回缩距离;刻蚀抗反射层和释放层,耦合端面边缘以外的抗反射层和释放层被全部去除;形成防脱离层;去除释放层;将激光器件芯片微转移印刷至目标衬底中,耦合端面朝向光波导。本发明可以大大提高光光波导中的光传播轴方向上激光器芯片和光波导之间的对准精度和降低累积公差,提高激光器芯片和光波导之间间距的一致性。本发明能够降低激光器芯片耦合端面与光波导之间的间距,增加光耦合效率,降低出光损耗。
技术关键词
激光器芯片 转移印刷方法 光阻图形 释放层 光波导 光子集成芯片 印刷工具 硬掩模 磷化铟 基底 光刻胶层 衬底 激光器件 对准误差 端面边缘 蚀刻剂 涂层 二氧化硅
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