一种半导体测试结构及其测试方法

本发明公开了一种半导体测试结构及其测试方法。本发明通过在有源区中形成交替分布的P型阱区与N型阱区，并在有源区表面形成作为蛇形测试结构的蛇形有源区金属硅化物条，蛇形有源区金属硅化物条的两端分别位于不同导电类型的阱区上方、以使蛇形有源区金属硅化物条覆盖于多个串联的PN结表面；通过所述蛇形测试结构能够准确测量所述蛇形有源区金属硅化物条的方块电阻、检测所述衬底是否存在漏电以及检测所述蛇形有源区金属硅化物条的连续性是否异常和是否存在桥连。进一步通过在所述蛇形测试结构所在区域内形成用于测量有源区金属硅化物层的击穿电压来判断有源区之间的隔离是否满足要求的交叉梳状测试结构，能够提高测试结构的全面性，节省芯片内测试图形的测试面积，有效提高面积利用率。