一种基于镍酸钐/二硫化钼的光电忆阻器及其制备方法与应用

本发明涉及一种基于镍酸钐/二硫化钼的光电忆阻器及其制备方法与应用。该光电忆阻器集成了光电效应和忆阻效应，包括由下至上依次设置的底电极衬底、阻变功能层和顶电极层；其中，阻变功能层是由二硫化钼薄膜与镍酸钐薄膜组成，该阻变功能层为两者形成的异质结结构。该器件激励信号包括直流电压信号和近紫外波段的光信号，对其施加紫外波段的光照后，会在不同光强度或不同照射时间下产生不同的光电流响应，从而实现对紫外波段光的有效感知。并且改变对该光电忆阻器输入的直流电压信号时，器件具备高阻态和低阻态两种不同的电学状态；当撤出电压信号时，器件保持原来电学状态不变，具有明显的非易失性特征。