一种倒装发光二极管芯片及其制备方法

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一种倒装发光二极管芯片及其制备方法
申请号:CN202510088867
申请日期:2025-01-21
公开号:CN119546015A
公开日期:2025-02-28
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种倒装发光二极管芯片及其制备方法,其中倒装发光二极管芯片的制备方法包括:提供一生长所需的衬底,在所述衬底上依次沉积N型半导体层、有源发光层以及P型半导体层;制备第一半导体层;制备布拉格反射层以及布拉格反射层通孔;制备电流阻挡层通孔;制备金属反射层;制备第一绝缘层以及第一绝缘层通孔;制备连接电极;制备第二绝缘层以及第二绝缘层通孔;制备焊盘层。
技术关键词
倒装发光二极管芯片 布拉格反射层 半导体层 电流阻挡层 有源发光层 金属反射层 叠层 电流扩展层 通孔 合金 氧化铟锡表面 电感耦合等离子体 衬底 磁控溅射工艺 涂布光刻胶 显影工艺 电极
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