一种正装LED芯片及其制作方法和发光装置

一种正装LED芯片及其制作方法和发光装置，正装LED芯片包括：衬底、外延叠层、第一电极、第二电极、钝化层和保护层。外延叠层位于衬底的一侧表面；外延叠层包括第一型半导体层、有源层、第二型半导体层和透明导电层；外延叠层设有裸露第一型半导体层部分表面的凹槽；透明导电层设于第二型半导体层背离有源层的表面上；第一电极设于凹槽与第一型半导体层电连接；第二电极设于第二型半导体层背离衬底的表面上与第二型半导体层电连接；钝化层覆盖外延叠层的部分裸露面；保护层覆盖外延叠层的裸露侧壁，以与钝化层一起将外延叠层包裹。增加保护层覆盖外延叠层未被钝化层覆盖的裸露侧面，实现外延叠层侧壁的全覆盖，避免水汽侵蚀，增加芯片整体的可靠性。