一种发光二极管芯片及其制备方法

本发明提供一种发光二极管芯片及其制备方法，其中发光二极管芯片的制备方法包括：提供一生长所需的衬底，在衬底上依次沉积N型半导体层、有源发光层以及P型半导体层；在P型半导体层上制备N型导电通孔；在P型半导体层以及N型导电通孔上制备电流扩展层；在电流扩展层、未被电流扩展层覆盖的P型半导体层以及未被电流扩展层覆盖的N型导电通孔上制备电流阻挡层；在电流阻挡层上制备电流阻挡层通孔；在电流阻挡层以及电流阻挡层通孔上制备第一半导体层；剥离衬底完全暴露出N型半导体层的底部；在N型半导体层的底部制备第二半导体层；在第一半导体层上制备N型焊盘。