一种氮化镓级联器件的封装方法及其封装结构

本发明涉及一种氮化镓级联器件的封装方法及其封装结构，所述方法包括：对原始氮化镓芯片和原始低压增强芯片中的至少一个进行电极位置转移；提供封装框架；在基岛上贴装氮化镓芯片和低压增强芯片；进行电气互联，包括电连接氮化镓芯片的漏极和封装框架的器件漏极区；电连接低压增强芯片的栅极和封装框架的器件栅极区；电连接氮化镓芯片的源极和低压增强芯片的漏极；以及塑封并切割连接筋以得到单颗的氮化镓级联器件。本发明降低了生产成本，简化了氮化镓级联器件的封装工艺流程，提升了器件的性能和可靠性。