摘要
本发明提供一种三维堆叠动态随机存取存储器及其制备方法,该存储器包括:衬底以及位于衬底上方的第一晶体管和第二晶体管,第一晶体管和第二晶体管之间通过多层金属互连结构电连接,且多层金属互连结构的宽度自上而下呈逐层递减趋势。本发明采用宽度逐层递减的多层金属互连结构可以在有限的芯片面积内实现更高的布线密度,有助于在更小的空间内实现更复杂的电路功能,提高芯片的集成度和可靠性,同时降低功耗和提高性能;而且采用宽度自上而下呈逐层递减的多层金属互连结构可以有效地减少信号在传输过程中的衰减,有助于保持信号在整个互连结构中的一致性;此外,还可以有效地减少信号传输过程中的延迟和干扰,有助于提高电路的整体性能和稳定性。
技术关键词
金属互连结构
晶体管
金属互连线
衬底
半导体层
金属间介质层
金属氧化物半导体
栅极
低温多晶硅
芯片
信号
电路
布线
存储器
台阶
绝缘
密度
系统为您推荐了相关专利信息
智能电子开关
功率开关
电流采样电路
电流感测单元
控制电路
静电放电防护电路
钳位电路
功率放大器
有源偏置电路
射频集成电路