一种二硫化钼纳米孔芯片及其制备方法与应用

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一种二硫化钼纳米孔芯片及其制备方法与应用
申请号:CN202510140177
申请日期:2025-02-08
公开号:CN119954205B
公开日期:2025-10-14
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种二硫化钼纳米孔芯片及其制备方法与应用,属于环境污染物检测技术领域。本发明首先制备PMMA‑MoS2薄膜,然后将其转移至氮化硅表面。通过氦离子束刻蚀技术和扫描电子显微镜技术结合在二硫化钼薄膜上形成纳米孔。此传感器可用于高效检测环境中的铜(Cu)‑硫氰酸盐复合物,具备高灵敏度、快速响应和良好的选择性的特点,适用于环境监测和污染物检测等领域。
技术关键词
纳米孔芯片 MoS2薄膜 环境污染物检测技术 扫描电子显微镜 聚甲基丙烯酸甲酯 离子束刻蚀技术 二硫化钼薄膜 复合物 气相沉积技术 基底 氮化硅层 椭圆形 尺寸 图案 气体
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