一种临时键合及解键合的方法、复合衬底的制备方法及晶圆的制造方法

本发明属于半导体加工制造领域，本发明提供了一种临时键合及解键合的方法、复合衬底的制备方法及晶圆的制造方法，所述临时键合及解键合的方法包括在两个硅衬底上形成氧化硅层，对氧化硅层进行离子注入、氢氟酸处理及等离子体活化，通过亲水性键合实现两个硅衬底的临时键合，再通过解键合退火，使得临时键合界面开裂，实现解键合。该方法无需使用键合介质，且能保持两个衬底的热学性能一致，有效避免翘曲和破碎；临时键合的强度高、稳定性好，利用该方法能够实现功能衬底的大幅度减薄，从而制备得到复合衬底或进一步用于制造多层晶圆键合结构。