应用于直写光刻机的纠偏对位方法及装置、介质和光刻机

本发明公开了一种应用于直写光刻机的纠偏对位方法及装置、介质和光刻机，其中，应用于直写光刻机的纠偏对位方法包括：在介质层有纠偏需求时，获得芯片层中各芯片对应介质层中芯片理论图案的分区刚性变换参数，分区刚性变换参数包括位移；基于各芯片对应介质层中芯片理论图案的位移获得迭代位移步长；基于迭代位移步长修正各芯片对应介质层中芯片理论图案的位置，直至介质层与芯片层满足第一条件，其中，在修正时介质层中芯片理论图案沿位移的向量方向移动，向量方向为从介质层上芯片理论图案的中心坐标到芯片层对应芯片的中心坐标的方向。本发明的方法提高了多芯片封装工艺中的对位精度，修正了因贴片误差导致的图案对位不精确的情况。