一种防止在版图中GGNMOS误接的检查方法

本发明公开了一种防止在版图中GGNMOS误接的检查方法，涉及集成电路技术领域。步骤包括：编写设计规则检查文件，识别版图中的硅化物阻挡层区域；根据编写的设计规则检查文件分析层次连接，判断硅化物阻挡层区域是否正确地连接到漏极端；通过版图设计验证软件自动检查GGNMOS的连接情况，识别出版图中的误接问题；本发明用于防止GGNMOS在集成电路版图中发生误接，精确识别和验证硅化物阻挡层区域的位置和连接，确保与漏极端的正确电气连接，同时优化连接路径，提高电路设计的准确性，还通过SPICE模型仿真来预测电路性能，并通过图形化结果查看和分析工具直观展示检查结果，从而减少人工检查中的错误，提高设计效率。