预测二硫化钼纳米片在极性溶剂中最高分散浓度的方法

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预测二硫化钼纳米片在极性溶剂中最高分散浓度的方法
申请号:CN202510172462
申请日期:2025-02-17
公开号:CN119845801B
公开日期:2025-09-26
类型:发明专利
摘要
本申请提供了一种预测二硫化钼纳米片在极性溶剂中最高分散浓度的方法,该方法通过将二硫化钼纳米片分散于不同表面张力的极性溶剂中,并利用OWRK理论计算二硫化钼纳米片的表面张力,通过比较极性溶剂与二硫化钼纳米片表面张力之间的差异,建立最高分散浓度与表面张力差值的线性关系模型,该方法能够准确预测在极性溶剂条件下二硫化钼纳米片的最高分散浓度,并通过复配溶剂调节溶剂表面张力进而优化纳米片的分散性,从而提高材料的光电、催化等性能,具有较高的工业应用价值,能够为纳米材料的可控分散和大规模生产提供理论依据,显著提升材料研发和生产效率。
技术关键词
二硫化钼纳米片 线性关系模型 接触角 方程 吡咯烷酮 纳米材料 丁二醇 理论 异丙醇 薄膜 单层 光电 乙醇 甲基 工业 尺寸
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