基于神经网络CMP模型的哑元填充优化方法及系统

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基于神经网络CMP模型的哑元填充优化方法及系统
申请号:CN202510178755
申请日期:2025-02-18
公开号:CN120012600A
公开日期:2025-05-16
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种基于神经网络CMP模型的哑元填充优化方法及系统,其中方法包括:将芯片布局划分为多个窗口,将每一个窗口作为填充优化的基本填充单元;根据设计规则提取每一个窗口的可填充区域;基于神经网络CMP模型的预测高度和设计规则,分配每一个窗口的目标高度;基于所述可填充区域和所述目标高度,利用多目标遗传算法生成填充参数并进行优化。本发明用于提高化学机械抛光工艺中的表面平整度,并优化填充布局设计。该方法结合多目标遗传算法实现高效且精确的多目标优化,不仅提高了高度变化的预测精度,还显著优化了填充方案的综合性能。
技术关键词
布局 参数 遗传算法 金属线 分段线性函数 动态 机械抛光工艺 芯片 间距 计算机终端 电容 模块 处理器 版图 场景 可读存储介质 模式 低密度 存储器
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