摘要
本申请公开了一种芯片封装结构及其制备方法、电子设备,适用于半导体技术领域,该芯片封装结构包括第一晶圆、第一介电层、第二介电层、第二晶圆和导电结构。第一介电层设置于第一晶圆上,第二介电层设置于第一介电层的远离第一晶圆的一侧,第二介电层中设置有导电层,第二晶圆设置于第二介电层的远离第一晶圆的一侧,第二晶圆包括靠近第二介电层的第一表面,第一表面设置有浅沟槽隔离结构,浅沟槽隔离结构从第一表面延伸至第二晶圆内,导电结构贯穿第二晶圆,并与第二介电层中的导电层电连接。其中,浅沟槽隔离结构在第一表面上的正投影,围绕导电结构在第一表面上的正投影。本申请的技术方案实现了芯片封装结构的制备精度和整体性能的提升。
技术关键词
浅沟槽隔离结构
芯片封装结构
导电结构
介电层
键合结构
晶圆
晶体管
导电层
电子设备
电路板
光刻工艺
氮化硅
氧化硅
密度
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