一种多层HTCC陶瓷RF SIP封装管壳的设计方法及封装器件

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一种多层HTCC陶瓷RF SIP封装管壳的设计方法及封装器件
申请号:CN202510190610
申请日期:2025-02-20
公开号:CN119670673B
公开日期:2025-05-16
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种多层HTCC陶瓷RF SIP封装管壳的设计方法及封装器件,涉及RF SIP封装技术领域,本发明通过动态优化多层堆叠结构层数及厚度,从信号完整性、散热性能和机械可靠性等多目标出发全面优化封装设计,避免单一性能优化导致的冲突。同时,基于渐变式微带线设计,显著提升射频信号的阻抗匹配性能,降低信号反射和传输损耗,适用于高频信号传输需求。通过试组装反馈引入灵敏度分析和修正因子,逐步缩小仿真建模与实际性能间的偏差,实现高效、精准的多次更新优化。最终的封装管壳设计确保了优异的信号完整性、散热能力和结构可靠性,为现代高频、小型化封装提供了系统化的解决方案。
技术关键词
多层堆叠结构 仿真建模 微带线 电气 封装器件 仿真分析 参数 陶瓷 因子 基板材料 芯片 管壳设计 介质损耗角 信号 机械 射频 强度
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