半导体激光芯片及其制备方法、半导体激光芯片封装组件

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体激光芯片及其制备方法、半导体激光芯片封装组件，半导体激光芯片包括半导体芯片基体；位于半导体芯片基体第一表面的第一电极层、第一电极粘合层、腔面膜绕镀层、第一电极过渡层和第一焊接层；位于半导体芯片基体的第二表面的第二电极层；腔面膜绕镀层位于半导体激光芯片的侧面，并覆盖第一电极粘合层背向第一电极层一侧表面的边缘部分；第一电极粘合层包覆腔面膜绕镀层背向半导体芯片基体一侧表面和腔面膜绕镀层的侧面；第一电极过渡层还位于第一电极过渡层背向腔面膜绕镀层的一侧表面；第一焊接层的材料为贵金属。与相关技术相比，本发明可以提高提升半导体激光芯片的封装可靠性和散热性能。