芯片高电压加压测试判定方法及装置

本发明涉及芯片高电压加压测试判定方法及装置，通过引入氧化层击穿时间模型，以数学模型为基础精确计算测试条件，利用氧化层厚度消耗和电压因子的量化分析，确保测试条件在满足加速失效的同时，显著减少测试的冗余性，提高了测试效率。相比于传统测试方法多依赖于经验或主观判断，对HVS测试后不良芯片的筛选准确性较低，本方案采用IDDQ测试的两次电流差值统计分析方法，以偏离统计标准值（例如偏离2σ以上的值）为判定依据，确保判断过程的客观性与可重复性。通过这一标准化的流程，有效降低了误判率和漏判率，从而提高了产品质量的一致性和可靠性。