一种基于SiC MOSFET关断损耗的结温预测方法

本发明公开一种基于SiC MOSFET关断损耗的结温预测方法，属于电力电子技术与电工技术领域。所述的结温预测方法将关断损耗模型与基于关断损耗的结温预测模型相结合，包括以下步骤：首先，建立考虑寄生参数的SiC MOSFET关断损耗模型，其次，离线建立基于SiC MOSFET关断损耗的结温预测模型，然后，根据损耗模型在线计算关断损耗，最后将损耗数据代入结温预测模型求得结温预测值。本发明可以对SiC MOSFET不同工况条件下的关断损耗与结温进行预测，具有实时性强，易于实现，模型精度高等优势；为碳化硅功率器件的热评估和结温预测提供了高效准确的解决方案。