一种改进耦合结构的间接式探测器及其制作方法

本发明公开了一种改进耦合结构的间接式探测器及其制作方法，包括图像传感器芯片，所述图像传感器芯片的像素单元设置有感光区和非感光区，所述非感光区的上端设置有隔离介质层，所述感光区的上端耦合有闪烁晶体，从而形成闪烁晶体像元结构，所述闪烁晶体像元结构的上端面与隔离介质层的上端面齐平，在所述闪烁晶体像元结构和隔离介质层的上端覆盖有一层顶部反射层。本发明中，取消了传统的中间耦合层，实现了闪烁晶体材料与图像传感器芯片直接耦合的结构，极大地提高了间接式探测器的集成度和空间分辨率，进而提高了间接式探测器的耦合效率，减小了光能损失和图像失真。