一种LED外延结构及LED芯片

本申请提供了一种LED外延结构及LED芯片，涉及半导体发光二极管技术领域。本申请提供的LED外延结构采用N型临时衬底的结构设计，降低了LED外延结构及芯片的制备成本；并且采用复合缓冲层的结构设计，实现了从N型材料向P型材料的过渡，减少了晶格缺陷的产生，提高了LED外延结构的制备质量。本申请提供的LED芯片实现了N型和P型的倒置外延结构，使得LED芯片在器件区处形成裸露N型层的台面结构，并且由于N型层的载流子迁移率大于P型层的载流子迁移率，使得LED芯片在台面结构处的电流扩展效果更高，改善了LED芯片的电流扩展能力，提升了LED芯片的光电性能及抗静电能力，提高了LED芯片的性能。