双CMOS传感器与转换材料组合的中子测量系统

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双CMOS传感器与转换材料组合的中子测量系统
申请号:CN202510207536
申请日期:2025-02-25
公开号:CN119916430B
公开日期:2025-10-21
类型:发明专利
摘要
双CMOS传感器与转换材料组合的中子测量系统,包括探测器;探测器包括感光面相对布置的两个CMOS传感器和设置在两个CMOS传感器的感光面之间的中子转换材料;中子转换材料用于与中子发生核反应并产生α射线。本发明的优点在于:将中子转换材料设置在感光面相对布置的两个CMOS传感器之间,将中子探测转化为CMOS传感器敏感的α粒子探测,既提高了中子(尤其是热中子)的探测效率,又实现了几乎覆盖整个球形空间的广域中子测量角度。
技术关键词
CMOS传感器 二维六方氮化硼 芯片板 氟化锂 真空热蒸发镀膜技术 中子测量方法 PC机 探测器 铜箔 石蜡材质 磁控溅射法 射线 电路板 元素 图像 信号 气相沉积法
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