摘要
双CMOS传感器与转换材料组合的中子测量系统,包括探测器;探测器包括感光面相对布置的两个CMOS传感器和设置在两个CMOS传感器的感光面之间的中子转换材料;中子转换材料用于与中子发生核反应并产生α射线。本发明的优点在于:将中子转换材料设置在感光面相对布置的两个CMOS传感器之间,将中子探测转化为CMOS传感器敏感的α粒子探测,既提高了中子(尤其是热中子)的探测效率,又实现了几乎覆盖整个球形空间的广域中子测量角度。
技术关键词
CMOS传感器
二维六方氮化硼
芯片板
氟化锂
真空热蒸发镀膜技术
中子测量方法
PC机
探测器
铜箔
石蜡材质
磁控溅射法
射线
电路板
元素
图像
信号
气相沉积法
系统为您推荐了相关专利信息
动态路径规划
集群调度系统
多模态
动态障碍物
激光雷达
CMOS传感器
甄别方法
中子
信号
真空热蒸发镀膜技术