一种近红外LED芯片GaP层干法刻蚀的表面粗化方法

本发明涉及GaP材料表面处理技术领域，尤其涉及一种近红外LED芯片GaP层干法刻蚀的表面粗化方法。其技术方案包括晶圆预处理、晶圆表面薄膜沉积、硬掩模图形化处理以及GaP层纳米结构刻蚀，晶圆预处理，去除晶圆表面杂质；晶圆表面薄膜沉积，构建后续刻蚀所需结构基础，利用不同特性薄膜辅助形成精细图形；硬掩模图形化处理，通过精准控制等离子体与薄膜反应，塑造出特定图形化掩模，引导GaP层刻蚀走向；GaP层纳米结构刻蚀。本发明实现LED光提取效率提升，随机非周期的粗化结构不需要进行额外的光刻工艺，成本较低，容易产业化。密集的纳米结构表示对表面粗化程度更高，光更容易进入粗化结构中，增加了出射到空气中的几率。