背侧栅极切口形成

本文公开了背侧栅极切口形成，提供了一种用于形成集成电路的技术，该集成电路具有由电介质壁分隔开的相邻对的半导体装置，所述电介质壁是从结构的背侧形成的。相邻的半导体装置各自包括在源极区域与漏极区域之间延伸的半导体区域以及在相邻半导体装置的半导体区域之上延伸的栅极结构。电介质壁可以存在于每对相邻的半导体装置之间，从而使栅极结构中断。每个电介质壁可以例如从结构的背侧在整个集成电路上形成为一系列平行线。导电链路可以延伸穿过给定电介质壁，以将相邻的栅极电极电连接在一起。其他导电链路还可以延伸穿过源极/漏极沟槽中的电介质壁，以连接相邻的源极或漏极接触部。