存储器的内建自测试系统

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存储器的内建自测试系统
申请号:CN202510220356
申请日期:2025-02-26
公开号:CN120164513A
公开日期:2025-06-17
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种存储器的内建自测试系统,属于集成电路领域。本发明的存储器包括:存储阵列,其包括用于存储数据的多个存储单元;控制器,其通过多路选择器与存储阵列电连接,并通过总线与测试机台电连接;内建自测试系统包括:内建自测试电路,其与控制器电连接,并通过多路选择器与存储阵列电连接,内建自测试电路用于对存储阵列进行测试;页缓存器,其与控制器和内建自测试电路电连接,用于在向存储阵列写入数据时,对写入数据进行缓存,并且用于在对存储阵列进行BIST时,暂存测试结果;一次性可编程存储器,其与控制器电连接,用于最终存储测试结果。本发明的存储器的BIST系统可以减小芯片占用面积,降低功耗。
技术关键词
内建自测试电路 存储阵列 页缓存器 测试机台 可编程存储器 控制器 存储单元 数据 集成电路 命令 芯片
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