具有均匀网格金属栅极和沟槽接触占位切口的集成电路结构

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正文
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具有均匀网格金属栅极和沟槽接触占位切口的集成电路结构
申请号:CN202510224430
申请日期:2025-02-27
公开号:CN120727703A
公开日期:2025-09-30
类型:发明专利
摘要
描述了具有均匀网格金属栅极和沟槽接触占位切口的集成电路结构。例如,集成电路结构包括在水平纳米线的竖向堆叠或者鳍部上方的栅极电极。导电沟槽接触邻近于栅极电极,其间具有电介质侧壁间隔部。第一和第二电介质切口插塞结构延伸通过栅极电极、通过电介质侧壁间隔部并且通过导电沟槽接触的下部部分。第一电介质切口插塞具有在横向上邻近于栅极电极并且暴露栅极电极的侧面的凹陷。导电沟槽接触在第二电介质切口插塞结构上方竖向延伸。导电链路在第一电介质切口插塞结构的凹陷中,导电链路与栅极电极的侧面接触。
技术关键词
栅极电极 导电沟槽 插塞结构 集成电路结构 纳米线 链路 金属栅极 通信芯片 集成电路管芯 数字信号处理器 网格 显示器 相机 存储器 电池
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