一种基于勾型磁场的半导体硅单晶生长方法及生长系统

本发明公开了一种基于勾型磁场的半导体硅单晶生长方法及生长系统，所述生长方法具体包括以下步骤：步骤1、设置上线圈和下线圈初始磁场强度，确定零磁面位置；步骤2、根据实测晶体直径与目标直径的差值调整上线圈的磁场强度；步骤3、根据上线圈磁场强度的调节量，对下线圈磁场强度进行相应调节，下线圈调节量根据公式进行计算。本发明利用勾型磁场可以抑制熔体对流强度的特性，独立调控上下两个线圈的磁场强度，在拉速锁定的情况下，无需耗费大量成本且对人员经验无要求，可以快速准确的控制直径，同时维持合适的界面形状。