一种高介电常数微波介质陶瓷及其制备方法和芯片电容器

本发明涉及一种高介电常数微波介质陶瓷及其制备方法和芯片电容器，其中，高介电常数微波介质陶瓷通过以下成分制得：掺杂的SrTiO3 40.89～47.66wt％、掺杂的CaTiO3 48.34～51wt％、添加剂4～9wt％，其中，所述掺杂的SrTiO3由掺杂剂A对SrTiO3进行掺杂制得，所述掺杂剂A为MgO、Sm2O3和CuO中的至少一种，所述掺杂的CaTiO3由掺杂剂B对CaTiO3进行掺杂制得，所述掺杂剂B为La2O3、CeO和Nb2O5中的至少一种，添加剂包括AlO、MnO、La2O3、BaO2、SiO2、ZrO2和Bi2O3中的至少一种。本发明所述的高介电常数微波介质陶瓷，其温度系数≤±50ppm/℃，而在该温度系数条件下的介电常数可达165‑175，并且介电常数在高温环境下具有较高的稳定性。