一种IGBT功率器件制备方法和IGBT功率器件

本发明涉及一种IGBT功率器件制备方法和I GBT功率器件，属于半导体功率器件技术领域。包括：在第一元胞区域和第二元胞区域内刻蚀多个沟槽；对每个沟槽内生长栅氧化层和形成第一复合氧化硅膜层，并填充第一栅极多晶硅；根据第一预设深度，去除多余的第一栅极多晶硅，得到有效栅极多晶硅；根据第二预设深度和预设角度，去除多余的第一复合氧化硅膜层，得到有效复合氧化硅膜层；根据预设厚度，对第二元胞区域中的有效复合氧化硅膜层表面淀积第二复合氧化硅膜层；对每个沟槽的剩余空间内淀积形成第二栅极多晶硅，并在其表面淀积第三复合氧化硅膜层。本发明不仅降低器件的零温度系数点，还提高器件的安全工作区和应用可靠性。同时，实现均流的稳定性。