钠掺杂Ga2O3电解质栅控突触晶体管及其制备方法和应用

本发明涉及晶体管技术领域，尤其涉及一种钠掺杂Ga2O3电解质栅控突触晶体管及其制备方法和应用。所述钠掺杂Ga2O3电解质栅控突触晶体管包括：依次层叠设置的衬底、钠掺杂的Ga2O3介电薄膜层、半导体薄膜层，以及间隔设置在所述半导体薄膜层远离所述钠掺杂的Ga2O3介电薄膜层的一侧表面的源电极和漏电极。所述钠掺杂Ga2O3电解质栅控突触晶体管成功模拟了典型的突触行为，并在人工神经网络的模式识别能力中获得较高的识别精度，在神经形态计算中有巨大应用潜力。制备方法工艺简单，成本低廉，尤其是通过在水溶液中和在低退火温度下制备得到关键的钠掺杂的Ga2O3介电薄膜层，具有低温、环保的特点。