一种晶圆级铜柱的电镀方法

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一种晶圆级铜柱的电镀方法
申请号:CN202510239679
申请日期:2025-03-03
公开号:CN119710855B
公开日期:2025-07-11
类型:发明专利
摘要
本发明属于半导体领域,具体公开一种晶圆级铜柱的电镀方法。本发明在电镀铜柱过程中,电镀液中的聚乙烯吡咯烷酮和烷基苯磺酸盐相互协同,可以明显降低铜柱中的孔洞、裂纹等缺陷数量,提高铜柱的附着力,改善铜柱的力学性能。
技术关键词
电镀方法 聚乙烯吡咯烷酮 烷基苯磺酸盐 丙烷磺酸盐 电镀铜柱 丙磺酸盐 聚乙二醇 晶圆 巯基 二甲基亚砜 焊盘 芯片 硫酸 半导体 乙烷 裂纹 孔洞 乙基
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