功率半导体封装结构

本发明公开了一种功率半导体封装结构，包括基板、功率半导体芯片、PCB板、封装密封层；基板上部导电金属层包括通过分隔槽物理分隔并且电气绝缘的左侧金属层和右侧金属层；左侧金属层上靠近分隔槽的一侧设有下沉的左安装平台，右侧金属层的中间部分设有下沉的右安装平台，右安装平台用于设置芯片，PCB板架设左安装平台和右安装平台上；芯片漏极与右安装平台互联；左侧金属层通过PCB板连接到芯片源极上，PCB板在右侧金属层一侧的边沿上设有用于与功率半导体封装结构的外部驱动电路连接的延长部，延长部将芯片的栅极和源极与外部电路的驱动电路连接。PCB板反面设有与左安装平台电连接的基板连接部；PCB板反面设有与芯片的源极互联的芯片连接部。