一种新型倒扣挤压式纳米压印光刻方法

本发明涉及半导体芯片方法领域，公开了一种新型倒扣挤压式纳米压印光刻方法，本发明致力于研究倒扣挤压式纳米压印光刻方法，该方法的特点在于光刻胶不是直接匀胶到衬底上，而是先匀胶在纳米压印膜的图形区，接下来倒扣到衬底上，通过外力将多余的光刻胶挤压出去，然后进行紫外光照射、加热、施加外力后脱膜，最后再针对衬底进行显影。该方法的优势在于克服了传统纳米压压印光刻方法难以将压印图形完全转移到光刻胶上，尤其对于高纵宽比的图形，该方法最重要的是可以在一次压印中制备出不同高度的光刻胶柱。